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晶体管
SIHF30N60E-E3参考图片

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SIHF30N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
  • 数据手册下载
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库存:36,940(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥39.1884
391.884
100
¥32.2728
3227.28
250
¥31.2784
7819.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHF30N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
9,000:¥0.791
参考库存:8460
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.5315
10:¥7.0625
100:¥5.4127
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.4352
参考库存:7132
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 1700V
1:¥887.8071
5:¥871.5238
10:¥832.2563
25:¥804.5148
参考库存:1215
晶体管
MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
1:¥2.2261
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:61191
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:12049
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