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晶体管
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FF300R17KE4

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库存:2,691(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,219.6768
1219.6768
5
¥1,190.3307
5951.6535
10
¥1,160.7473
11607.473
25
¥1,144.5318
28613.295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
440 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1800 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF300R17KE4HOSA1 SP000713528
商品其它信息
优势价格,FF300R17KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET
1:¥1.2317
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
参考库存:201365
晶体管
MOSFET N Ch 800V 13 Ohm 1A
1:¥5.4579
10:¥4.4974
100:¥2.9041
1,000:¥2.3278
2,000:¥1.9662
参考库存:15211
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
1:¥40.2619
10:¥34.1938
100:¥29.6625
250:¥28.1257
参考库存:10589
晶体管
MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET
1:¥5.2206
10:¥4.3618
100:¥2.8137
1,000:¥2.2487
3,000:¥1.8984
参考库存:6317
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS8
1:¥33.5045
10:¥26.9731
100:¥24.5097
250:¥22.1254
参考库存:7733
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