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晶体管
SGB02N120参考图片

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SGB02N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
1,000
¥7.3789
7378.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGB02N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
6.2 A
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGB02N120ATMA1 SGB2N12XT SP000012558
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SGB02N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:3701
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
2,000:¥2.4973
参考库存:4648
晶体管
MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.7176
参考库存:12433
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 500mA NPN GP Transistors
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.69156
1,000:¥0.46895
5,000:¥0.36838
参考库存:39812
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:5849
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