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晶体管
SUP85N10-10-GE3参考图片

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SUP85N10-10-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥42.488
424.88
100
¥34.9622
3496.22
250
¥33.8887
8472.175
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
160 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
130 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SUP85N10-10-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APT53N60BC6
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1:¥75.8456
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1:¥0.99892
10:¥0.91417
100:¥0.32318
1,000:¥0.2147
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参考库存:19345
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10:¥1.3108
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1,000:¥0.37629
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1:¥27.5833
10:¥23.4362
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1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:3884
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