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晶体管
DST847BDJ-7参考图片

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DST847BDJ-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR TRANS NPN
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库存:8,700(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥1.9436
19.436
100
¥0.83733
83.733
1,000
¥0.63732
637.32
10,000
¥0.43053
4305.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-963-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
300 mV
最大直流电集电极电流
100 mA
增益带宽产品fT
170 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DST847
直流电流增益 hFE 最大值
470
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,DST847BDJ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SOT-23-6L MOSFET
6,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.64523
参考库存:37767
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:37770
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥2,096.5794
参考库存:37773
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:37776
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:37779
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