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晶体管
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IHW40N60R

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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库存：2,621(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.9622
34.9622
10
¥29.7416
297.416
100
¥25.7414
2574.14
250
¥24.4306
6107.65
500
¥21.8994
10949.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW40N60RFKSA1 IHW4N6RXK SP000357222
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IHW40N60R的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IFN363
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -40V JFET -0.3 1.0V Igss 1.0V Idss
71:¥101.2028
100:¥93.1346
250:¥84.9082
500:¥79.3712
参考库存:28628
NVMFS5C406NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
1,500:¥9.9101
4,500:¥9.5259
9,000:¥9.1417
参考库存:28631
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥570.537
5:¥552.7056
10:¥535.959
25:¥511.7544
参考库存:28634
STWA68N60M6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥74.9981
10:¥67.7774
25:¥64.6247
100:¥56.0932
参考库存:2410
RDD020N60TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET MOSFET
2,500:¥3.9889
10,000:¥3.842
参考库存:28639
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