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晶体管
IGP06N60T参考图片

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IGP06N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A
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库存:3,038(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.684
768.4
500
¥6.8139
3406.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
88 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
9.25 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGP06N60TXKSA1 IGP6N6TXK SP000683040
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IGP06N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥29.5834
10:¥26.4307
100:¥21.8203
250:¥19.5942
500:¥17.8992
参考库存:2697
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP+NPN 1A 50V
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:4271
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥5.2206
10:¥4.0115
100:¥2.9832
500:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.8871
参考库存:7311
晶体管
IGBT 晶体管 600V 30A 187W
1:¥32.9621
10:¥27.9675
100:¥24.2837
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:2759
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.8419
10:¥1.2543
100:¥0.52206
1,000:¥0.3616
参考库存:10999
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