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晶体管
SQ3461EV-T1_GE3参考图片

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SQ3461EV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:5,422(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.1132
41.132
100
¥3.1188
311.88
500
¥2.5764
1288.2
3,000
¥1.8645
5593.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
92 ns
典型接通延迟时间
12 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3461EV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:3902
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 32A 44mOhm 48nC
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:8277
晶体管
MOSFET N-Ch 1000 Volt 3.5A Zener SuperMESH
1:¥26.7358
10:¥22.7469
100:¥19.7524
250:¥18.6676
参考库存:3094
晶体管
IGBT 晶体管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:3554
晶体管
MOSFET 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
2,500:¥5.4353
5,000:查看
参考库存:5809
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