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晶体管
IHW20N120R3FKSA1参考图片

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IHW20N120R3FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
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数量单价合计
1
¥30.962
30.962
10
¥26.2838
262.838
100
¥22.826
2282.6
250
¥21.6734
5418.35
500
¥19.436
9718
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.48 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
310 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IHW20N120R3 IHW2N12R3XK SP000437702
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格,IHW20N120R3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Trans
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
9,000:¥0.83733
参考库存:8435
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SM6, 50V, 100A
1:¥3.0736
10:¥1.7402
100:¥0.9379
500:¥0.75258
3,000:¥0.43844
9,000:查看
参考库存:11761
晶体管
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1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.746
500:¥4.1923
1,000:¥3.3109
2,500:¥3.3109
参考库存:4890
晶体管
MOSFET Enh FET 12Vdss 8Vgss 20V Complementary
暂无价格
参考库存:37031
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200V VCEO PNP 250 GAIN IC 0.3A
1:¥7.7631
10:¥6.6557
100:¥5.1076
500:¥4.52
1,000:¥3.5708
参考库存:5208
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