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晶体管
BSO080P03NS3E G参考图片

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BSO080P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
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库存:4,088(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9212
59.212
100
¥4.5539
455.39
500
¥4.0228
2011.4
1,000
¥3.1753
3175.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
14.8 A
Rds On-漏源导通电阻
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
- 61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
44 S
下降时间
19 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
47 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
64 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO080P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:8198
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:4008
晶体管
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
9,000:查看
参考库存:7623
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
参考库存:3649
晶体管
MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52
1:¥3.5369
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
8,000:¥0.43053
24,000:查看
参考库存:50727
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