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晶体管
IPI041N12N3GAKSA1参考图片

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IPI041N12N3GAKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3
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库存：2,086(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥38.194
38.194
10
¥32.4988
324.988
100
¥28.1257
2812.57
250
¥26.668
6667
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
211 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
83 S
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
52 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
G IPI041N12N3 IPI41N12N3GXK SP000652748
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI041N12N3GAKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6991DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 0.83W
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30022
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
2,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9606
参考库存:30025
SIRA52DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥4.6217
参考库存:30028
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:30031
J110A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 25ohm 50mA 360mW 3.27mW
323:¥22.0576
500:¥19.8202
1,000:¥16.7466
2,500:¥15.9104
参考库存:30034
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