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晶体管
SIHA25N50E-E3参考图片

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SIHA25N50E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:1,738(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.1257
28.1257
10
¥25.1312
251.312
100
¥20.7468
2074.68
250
¥19.21
4802.5
500
¥16.9839
8491.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
550 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
57 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
57 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHA25N50E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
1:¥269.9344
5:¥267.0981
10:¥248.9616
25:¥237.8198
参考库存:2059
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge
1:¥62.0822
10:¥56.0932
25:¥53.4829
100:¥46.4091
参考库存:1068
晶体管
MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
1:¥8.5315
10:¥6.8252
100:¥5.2432
500:¥4.633
5,000:¥3.2431
10,000:查看
参考库存:2222
晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥2,009.592
30:¥1,937.1364
参考库存:31681
晶体管
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
1:¥921.0856
5:¥902.9491
10:¥860.834
25:¥842.7766
参考库存:1043
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