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晶体管
IPP17N25S3-100参考图片

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IPP17N25S3-100

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库存:1,755(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.7521
13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.2264
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
85 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
XPP17N25
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
1.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.7 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns
零件号别名
IPP17N25S3100AKSA1 SP001025116
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP17N25S3-100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1200V 300A SINGLE
1:¥748.1165
5:¥734.3644
10:¥701.3232
25:¥677.9548
参考库存:2203
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.6048
10:¥4.6556
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
参考库存:3767
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP PNP 40V 200MA
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:3171
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
1:¥43.3355
10:¥35.8888
100:¥29.5834
250:¥28.6568
3,000:¥20.5886
参考库存:5189
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 95A TDSON-8
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
5,000:¥6.2037
10,000:查看
参考库存:16171
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