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晶体管
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FQP3N80C

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数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.215
621.5
500
¥5.4918
2745.9
1,000
¥4.3392
4339.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
107 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP3N80C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
3 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQP3N80C_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FQP3N80C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BD433S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
参考库存:4872
CXT3906 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP
1:¥6.4523
10:¥5.2658
100:¥4.3844
500:¥3.3787
1,000:¥3.0623
参考库存:4898
3SK291(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.15W 12.5V
1:¥4.0002
10:¥2.6555
100:¥1.4803
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
参考库存:5273
SIA921EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
3,000:¥2.4634
参考库存:5190
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:13505
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