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晶体管
MMBT4126-7-F参考图片

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MMBT4126-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -25V 300mW
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数量单价合计
1
¥1.3108
1.3108
10
¥1.2543
12.543
100
¥0.44522
44.522
1,000
¥0.29154
291.54
3,000
¥0.22261
667.83
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 0.4 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT41
直流电流增益 hFE 最大值
360
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,MMBT4126-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
1:¥6.6896
10:¥5.7517
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
参考库存:7552
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
1:¥7.6049
10:¥6.4975
100:¥4.9946
500:¥4.407
1,000:¥3.4804
2,500:¥3.4804
参考库存:3513
晶体管
MOSFET MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
2,500:¥3.4578
参考库存:27240
晶体管
MOSFET N-Channel DMOS FET Low Threshold 2.0V
1:¥6.4523
10:¥6.3958
25:¥5.3788
100:¥4.9042
2,000:¥3.3448
4,000:查看
参考库存:2543
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
1,000:¥7.5371
参考库存:2005
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