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晶体管
IPB054N08N3GATMA1参考图片

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IPB054N08N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:1,677(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥10.2943
102.943
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.232
3616
1,000
¥5.989
5989
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
52 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
G IPB054N08N3 IPB54N8N3GXT SP000395166
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB054N08N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
4,000:¥0.5989
参考库存:30378
晶体管
MOSFET 12V 1.8A
3,000:¥1.8984
6,000:¥1.7628
9,000:¥1.7063
24,000:¥1.6385
参考库存:30381
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.29945
参考库存:30384
晶体管
IGBT 模块
156:¥70.3877
312:¥66.9299
624:¥62.6246
1,092:¥57.4718
参考库存:30387
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 200K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:30390
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