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晶体管
IPW60R280C6FKSA1参考图片

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IPW60R280C6FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6
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库存:1,367(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.9048
1690.48
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPW60R280C6 IPW6R28C6XK SP000645032
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW60R280C6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.9662
参考库存:18536
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PMSTA56/8/SOT323/SC-70
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.20792
24,000:¥0.1921
45,000:¥0.1695
99,000:¥0.13786
参考库存:18539
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:5342
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR NPN 50V
1:¥3.2996
10:¥2.3052
100:¥1.05994
1,000:¥0.81473
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:14344
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:18546
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