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晶体管
IPB011N04N G参考图片

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IPB011N04N G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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库存：1,625(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.5205
3630.125
1,000
¥10.9836
10983.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
IPB011N04NGATMA1 IPB11N4NGXT SP000388298
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB011N04N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP1012UFDF-13
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9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:31124
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