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晶体管
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IKB15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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库存：2,157(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥8.9948
8994.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N60TATMA1 IKB15N6TXT SP000054882
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，IKB15N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SD1013-03
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:19605
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:19608
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF
10,000:¥1.1865
参考库存:19611
NVMFS6B85NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 100V 30 MOHM T5 SINGLE S0
5,000:¥4.1697
10,000:¥4.0115
参考库存:19614
SIHF530-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
1:¥7.2207
10:¥5.7969
100:¥4.407
500:¥3.6386
参考库存:6414
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