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晶体管
IKB15N60T参考图片

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IKB15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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库存:2,157(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥8.9948
8994.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N60TATMA1 IKB15N6TXT SP000054882
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IKB15N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
1:¥22.6678
10:¥18.8258
100:¥14.5996
500:¥12.7577
2,000:¥9.831
10,000:查看
参考库存:9743
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
参考库存:4420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥193.5577
5:¥184.8793
10:¥179.1163
25:¥164.5958
参考库存:4412
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
1:¥79.2243
100:¥76.3767
500:¥72.6138
800:¥72.6138
参考库存:34965
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Silicon Transistor
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0453
参考库存:9260
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