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晶体管
IKB15N60T参考图片

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IKB15N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A
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库存:2,157(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.5262
155.262
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥8.9948
8994.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.57 mm
长度
10.31 mm
宽度
9.45 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKB15N60TATMA1 IKB15N6TXT SP000054882
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IKB15N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET FET 50V 3.5 OHM SOT23
1:¥2.0001
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:208054
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 1800A
1:¥10,021.0886
参考库存:1659
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN AMPL/SWITCH Small Signal
1:¥43.6406
10:¥43.2564
25:¥39.4144
100:¥35.5724
参考库存:1921
晶体管
MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:5101
晶体管
MOSFET 300V N-Ch MOSFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.0625
500:¥6.2376
800:¥4.9268
参考库存:1928
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