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晶体管
IGW60T120参考图片

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IGW60T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A
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库存:1,306(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.3138
61.3138
10
¥55.4039
554.039
25
¥52.8614
1321.535
100
¥45.878
4587.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW60T120FKSA1 IGW6T12XK SP000013906
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW60T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 70Amp N channel Power Mosfet with ESD protection
1:¥5.3788
10:¥4.6895
100:¥3.6047
500:¥2.6781
2,500:¥1.8871
5,000:查看
参考库存:8016
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:8470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.3108
10:¥1.04525
100:¥0.36838
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.1921
参考库存:113513
晶体管
MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:86874
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:44527
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