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晶体管
MBT3904DW1T3G参考图片

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MBT3904DW1T3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V Dual NPN
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数量单价合计
1
¥1.6159
1.6159
10
¥1.469
14.69
100
¥0.52206
52.206
1,000
¥0.34578
345.78
10,000
¥0.23052
2305.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 35 V
集电极—基极电压 VCBO
- 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MBT3904DW1
高度
0.9 mm
长度
2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.25 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
MBT3904DW1T1G
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格,MBT3904DW1T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 650V
1:¥1,132.7007
5:¥1,110.4171
10:¥1,058.6292
25:¥1,036.4134
参考库存:2109
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
800:¥8.8366
参考库存:5162
晶体管
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
1:¥41.7196
100:¥40.115
500:¥38.194
参考库存:7690
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET TO-26
1:¥12.7577
10:¥10.5994
100:¥8.2264
500:¥7.1642
参考库存:3092
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
1:¥15.9782
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.5259
参考库存:4150
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