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晶体管
DMN3067LW-7参考图片

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DMN3067LW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 447pF 4.6nC
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库存:51,377(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.0453
20.453
100
¥0.9379
93.79
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
67 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN3067
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3067LW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥42.3411
100:¥40.341
250:¥35.2673
500:¥34.2729
参考库存:40974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥71.6194
200:¥65.314
500:¥61.0878
1,000:¥56.0141
参考库存:40977
晶体管
MOSFET TO-220 MOSFET
1,000:¥6.8817
2,000:¥5.8986
4,000:¥5.3901
10,000:¥4.9155
参考库存:40980
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
200:¥71.8454
250:¥65.54
500:¥61.3138
1,000:¥56.2514
参考库存:40983
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.6A,60V GenPur
18,000:¥0.16159
参考库存:40986
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