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晶体管
MJD31C-13参考图片

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MJD31C-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V 5A NPN SMT
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.7516
37.516
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7628
1762.8
2,500
¥1.5029
3757.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD31C
直流电流增益 hFE 最大值
40 at 3 A, 4 V
高度
2.4 mm
长度
6.8 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
25
Pd-功率耗散
1560 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,MJD31C-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:13595
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 45A
1:¥223.6835
5:¥221.3783
10:¥206.3154
25:¥197.0946
参考库存:3671
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt PWR Trans 450BVceo
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
参考库存:3943
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A
1:¥1,722.7528
5:¥1,681.2592
10:¥1,639.5396
25:¥1,616.5554
参考库存:3671
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥36.5781
10:¥31.0411
100:¥26.9731
250:¥25.5832
参考库存:4103
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