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晶体管
FGH80N60FDTU参考图片

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FGH80N60FDTU

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库存:4,499(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.5835
31.5835
10
¥26.8149
268.149
100
¥23.278
2327.8
250
¥22.0576
5514.4
500
¥19.8202
9910.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH80N60FD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
高度
20.6 mm
长度
15.6 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH80N60FDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
参考库存:2289
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥4.068
10:¥2.7007
100:¥1.6724
500:¥1.5029
3,000:¥0.94468
9,000:查看
参考库存:4652
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.2263
10:¥5.1528
100:¥3.3335
1,000:¥2.6781
参考库存:2232
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 100V 30W NPN
1:¥7.9891
10:¥6.8026
100:¥5.2319
500:¥4.6217
参考库存:2977
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
1:¥3.616
10:¥2.6329
100:¥1.6611
1,000:¥1.243
3,000:¥1.05994
参考库存:7420
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