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晶体管
2DA1797-13参考图片

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2DA1797-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMT 2.5K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 50 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 100 mV
最大直流电集电极电流
- 6 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA17
直流电流增益 hFE 最大值
82
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
82 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，2DA1797-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9875-100A/CUX
Nexperia
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.6329
1,000:¥2.1131
2,000:¥1.7854
参考库存:41781
VRF141MP
Microsemi
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:2581
F5-75R06KE3_B5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,070.3004
5:¥2,885.2629
参考库存:2614
VN2222LL-G-P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥3.7629
10:¥3.7403
25:¥3.164
100:¥2.8476
2,000:¥1.9436
4,000:查看
参考库存:3613
C3M0120100J
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
1:¥67.235
100:¥64.6247
500:¥61.472
参考库存:3422
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