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晶体管
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FZ400R12KP4

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库存:3,481(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥799.5993
799.5993
5
¥784.9206
3924.603
10
¥749.5742
7495.742
25
¥724.6803
18117.0075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.05 V
在25 C的连续集电极电流
400 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FZ400R12KP4HOSA1 SP000524472
商品其它信息
优势价格,FZ400R12KP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH. ER TRENCH MO
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0058
1,000:¥2.4069
3,000:¥2.034
参考库存:8054
晶体管
IGBT 晶体管 600V/60A Field Stop IGBT Gen 2
1:¥49.4036
10:¥44.6463
25:¥42.5671
100:¥36.9623
参考库存:3974
晶体管
达林顿晶体管 Seven NPN Array
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
参考库存:26757
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
800:¥12.7577
参考库存:5756
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
1:¥26.2047
10:¥22.2836
100:¥19.2891
250:¥18.3625
800:¥13.8312
2,400:查看
参考库存:7007
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