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晶体管
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IPP020N08N5

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数量单价合计
1
¥41.4145
41.4145
10
¥35.1882
351.882
100
¥30.51
3051
250
¥28.9732
7243.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
1.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
223 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
产品
MOSFET
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
114 S
下降时间
37 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
102 ns
典型接通延迟时间
40 ns
零件号别名
IPP020N08N5AKSA1 SP001132480
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP020N08N5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5005
Microsemi
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1:¥1,157.5946
2:¥1,134.8477
5:¥1,097.0492
10:¥1,077.2968
参考库存:40389
JAN2N2920U
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥447.593
5:¥428.7672
10:¥421.2414
25:¥394.8785
参考库存:40392
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6,000:¥0.45313
10,000:¥0.40002
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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250:¥73.3822
500:¥68.6927
1,000:¥61.3138
参考库存:40398
RM4N700LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥3.1527
5,000:¥2.8702
10,000:¥2.6216
25,000:¥2.5764
参考库存:40401
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