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晶体管
DMN3024LSD-13参考图片

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DMN3024LSD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
2,500
¥1.5594
3898.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms, 24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12.9 nC, 12.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN3024
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
16.5 S, 16.5 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns, 16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns, 2.9 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMN3024LSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
3,000:¥4.3166
9,000:查看
参考库存:2600
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN
1:¥615.4884
25:¥543.869
100:¥480.5551
200:¥451.7401
参考库存:2690
晶体管
MOSFET Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2602
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:2672
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington Transistor
1:¥1,919.5423
2:¥1,873.3592
5:¥1,846.0019
10:¥1,819.7972
参考库存:2603
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