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晶体管
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FQA160N08

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数量单价合计
1
¥46.104
46.104
10
¥39.1093
391.093
100
¥33.9678
3396.78
250
¥32.1937
8048.425
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA160N08
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
92 S
下降时间
410 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
970 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
260 ns
典型接通延迟时间
85 ns
零件号别名
FQA160N08_NL
单位重量
5.200 g
商品其它信息
优势价格，FQA160N08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PEMH13,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V 200mW NPN/PNP resistor-equip trans
1:¥3.0736
10:¥2.0566
100:¥0.86106
1,000:¥0.58421
8,000:¥0.39211
24,000:查看
参考库存:12049
SSM3K16FV,L3F
Toshiba
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MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥1.7628
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:24664
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPLEMENTARY DIGITAL TRA
1:¥3.1527
10:¥2.2035
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.66105
参考库存:106054
RN1905FE,LF(CT
Toshiba
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双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:24669
VP2206N3-G P005
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥11.526
10:¥10.5994
25:¥8.8366
100:¥8.0682
250:¥7.4693
2,000:¥7.4693
参考库存:24672
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