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晶体管
BFR740L3RHE6327XTSA1参考图片

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BFR740L3RHE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4692
54.692
100
¥3.5256
352.56
1,000
¥2.825
2825
15,000
¥2.2035
33052.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR740L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
40 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
40 GHz
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
单位重量
0.500 mg
商品其它信息
优势价格,BFR740L3RHE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.599
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
3,000:¥0.78422
参考库存:10591
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.6273
100:¥2.2148
1,000:¥1.7176
参考库存:5748
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:19285
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 200mW
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:13439
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 120V 50MA
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:8701
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