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晶体管
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MJE802G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power NPN
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库存:7,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.7629
37.629
100
¥2.2939
229.39
1,000
¥1.7741
1774.1
2,500
¥1.5142
3785.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
100 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJE802
封装
Bulk
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
680 mg
商品其它信息
优势价格,MJE802G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥14.5205
250:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:3653
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER EASY
1:¥289.6077
5:¥283.1554
10:¥270.2508
25:¥258.9508
参考库存:2982
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥75.6874
10:¥68.1616
25:¥62.0822
100:¥56.0141
参考库存:3440
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
1:¥2.6103
10:¥1.7176
100:¥0.73789
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:22596
晶体管
MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
1:¥5.763
10:¥4.5765
100:¥3.4691
500:¥2.8702
1,000:¥2.2939
3,000:¥2.0792
参考库存:8761
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