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晶体管
ZTX614参考图片

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ZTX614

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Medium Power Darlington
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库存:10,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.8872
38.872
100
¥2.373
237.3
1,000
¥1.8419
1841.9
4,000
¥1.5594
6237.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
0.8 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX61
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
5000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000 at 100 mA at 5 V, 10000 at 500mA at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX614的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.1245
100:¥2.5199
1,000:¥1.9436
2,500:¥1.6611
参考库存:6354
晶体管
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
2,500:¥2.0905
参考库存:23969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.6A 160V
1:¥1.2317
2,000:¥1.1978
4,000:¥1.08367
6,000:¥1.00683
8,000:¥0.84524
参考库存:12569
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 98A 23mOhm 160nC
1:¥47.8668
10:¥43.2564
50:¥41.1885
100:¥35.8097
参考库存:3632
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:23976
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