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晶体管
DMN65D8LDW-7参考图片

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DMN65D8LDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7402
17.402
100
¥0.7458
74.58
1,000
¥0.5763
576.3
3,000
¥0.43844
1315.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
870 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN63
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
6.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
3.3 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
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250:¥91.8238
参考库存:29954
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