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晶体管
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2N6052G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 12A 100V Bipolar Power PNP
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数量单价合计
1
¥54.4773
54.4773
10
¥49.2567
492.567
50
¥46.9515
2347.575
100
¥40.7252
4072.52
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
12 A
最大集电极截止电流
1000 uA
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6052
封装
Tray
直流电流增益 hFE 最大值
18000
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
12 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
优势价格，2N6052G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN4987FE,LF(CT
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:23763
IPA65R1K5CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥6.5314
10:¥5.6274
100:¥4.3279
500:¥3.8194
1,000:¥3.0171
参考库存:4153
TIP125G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 5A 60V Bipolar Power PNP
1:¥5.4579
10:¥4.5878
100:¥2.9606
1,000:¥2.3617
参考库存:4807
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
1:¥16.9839
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:23770
DDA142TH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:6160
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