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晶体管
SQM70060EL_GE3参考图片

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SQM70060EL_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存：3,241(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
166 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
95 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
34 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，SQM70060EL_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IMD23T108
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL PNP/NPN
1:¥2.9945
10:¥2.2826
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.79891
参考库存:43782
DRC9143T0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:43785
JANS2N3700UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥523.2804
5:¥501.3019
10:¥492.4653
25:¥461.7293
参考库存:43788
BUK6C2R1-55C,118
Nexperia
晶体管
MOSFET N-chan TrenchMOS FET
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥16.5206
250:¥15.6731
800:¥11.8311
2,400:查看
参考库存:8743
NVMFS5832NLWFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 120A 4.2mOhm SGL N-CH
5,000:¥4.6217
10,000:¥4.4522
参考库存:43793
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