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晶体管
DMB53D0UV-7参考图片

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DMB53D0UV-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-CHANNEL NPN ENHANCEMENT MODE
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库存:10,476(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.3786
137.86
1,000
¥1.03734
1037.34
3,000
¥0.89948
2698.44
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
160 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
700 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMB53D
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
180 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,DMB53D0UV-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Ch Amplifier 39Vdg -30V 10mA
1:¥11.9102
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:3373
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.2261
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
参考库存:43508
晶体管
MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3563
参考库存:6151
晶体管
MOSFET PCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm
1:¥22.2045
10:¥20.1366
100:¥16.4415
500:¥13.1419
1,000:¥11.1418
3,000:¥10.4525
参考库存:4052
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:1317
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