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晶体管
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FQI27N25TU

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数量单价合计
1
¥22.3627
22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
1,000
¥11.0627
11062.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
25.5 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.13 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
7.88 mm
长度
10.29 mm
系列
FQI27N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
270 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
FQI27N25TU_NL
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,FQI27N25TU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 3A
1:¥3.7629
10:¥3.1075
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10:¥15.0629
100:¥11.9893
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800:¥8.6784
参考库存:3752
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MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥14.7578
500:¥12.9046
1,000:¥10.6785
参考库存:3818
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.308 Ohm 11 A MDmesh M5
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9836
参考库存:3572
晶体管
MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A
1:¥7.5258
10:¥6.441
100:¥4.9494
500:¥4.3731
2,500:¥3.0623
10,000:查看
参考库存:12716
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