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晶体管
RGTH00TS65DGC11参考图片

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RGTH00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥35.1882
35.1882
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.6679
6166.975
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,RGTH00TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V LOW V-SAT SOT23
1:¥3.2996
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:13838
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80V 1A NPN MED POWER TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
4,000:¥0.7684
参考库存:3935
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:3975
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC
1:¥6.9156
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
1,000:¥3.1753
2,000:¥3.1753
参考库存:1994
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
1:¥2.7685
10:¥2.1244
100:¥1.1526
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
参考库存:16624
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