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晶体管
ZXT10P40DE6TA参考图片

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ZXT10P40DE6TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP SuperSOT4
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数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
3,000
¥1.8419
5525.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
- 210 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
190 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT10
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 2 V
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 60 at 1.5 A, 2 V, 12 at 3 A, 2 V
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6.500 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT10P40DE6TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STP20N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
1:¥35.5724
10:¥30.1936
100:¥26.2047
250:¥24.8148
参考库存:3399
SI3424BDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:4770
SPA16N50C3
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 16A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥15.4471
250:¥14.6787
500:¥13.1419
参考库存:1881
IRG7PH35UD-EP
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT DISCRETES
1:¥58.5566
10:¥52.9405
25:¥50.4884
100:¥43.7988
参考库存:2209
FGH40T120SMDL4
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:2256
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