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晶体管
SI9933CDY-T1-E3参考图片

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SI9933CDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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库存:6,832(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
58 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI9
晶体管类型
2 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SI9933CDY-E3
单位重量
187 mg
商品其它信息
优势价格,SI9933CDY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V Single
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
4,000:¥1.7402
参考库存:5523
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 30A
1:¥5.8421
10:¥4.8025
100:¥3.0962
1,000:¥2.486
参考库存:19532
晶体管
MOSFET 650V/30mOhm SiC CASCODE G3
1:¥237.7407
5:¥227.0622
10:¥219.9884
25:¥202.1683
参考库存:1946
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:6908
晶体管
MOSFET Nch+Nch MOS FET
1:¥11.3678
10:¥9.9892
100:¥7.91
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
3,000:¥4.859
参考库存:5122
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