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晶体管
TK100E10N1,S1X参考图片

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TK100E10N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
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库存:2,450(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.9675
27.9675
10
¥22.5096
225.096
50
¥22.5096
1125.48
100
¥20.5208
2052.08
250
¥18.5207
4630.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
207 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
140 nC
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Reel
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK100E10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK100E10N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:33319
晶体管
MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
2,500:¥2.9493
参考库存:8137
晶体管
MOSFET -30V -3A 115 OHM PoserTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:4910
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
5,000:¥1.8758
参考库存:6445
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
1,000:¥14.2945
2,000:查看
参考库存:2229
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