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晶体管
DMN53D0LDW-7参考图片

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DMN53D0LDW-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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库存:63,220(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.82942
82.942
1,000
¥0.56839
568.39
3,000
¥0.44522
1335.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
360 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC, 0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN53
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
11 ns, 11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns, 2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 19 ns
典型接通延迟时间
2.7 ns, 2.7 ns
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,DMN53D0LDW-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥140.6963
5:¥135.2384
10:¥130.0856
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1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
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1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
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MOSFET 60V N-Channel Sm Sig
1:¥2.9945
10:¥1.9662
100:¥0.84524
1,000:¥0.65314
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1:¥3.1527
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:8538
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