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晶体管
MJD200T4G参考图片

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MJD200T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 5A 25V 12.5W NPN
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库存:4,892(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
2,500
¥1.4012
3503
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
8 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
最大直流电集电极电流
5 A
增益带宽产品fT
65 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD200
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
12.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,MJD200T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH VOLTAGE
1:¥7.0738
10:¥6.0455
100:¥4.6443
500:¥4.1019
1,000:¥3.2318
2,500:¥3.0849
参考库存:26177
晶体管
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
1:¥37.4934
10:¥30.1258
100:¥27.5042
250:¥24.8148
2,500:¥17.8314
5,000:查看
参考库存:4131
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥378.437
5:¥365.6793
10:¥353.7691
25:¥327.1802
参考库存:4140
晶体管
MOSFET Nch 600V 35A Si MOSFET
1:¥80.456
10:¥72.772
25:¥69.382
100:¥60.2403
参考库存:36281
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:4577
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