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晶体管
DMN3730UFB-7参考图片

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DMN3730UFB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 30V N-Ch VDSS 30V VGSS 8V VGS 4.5V
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.7798
27.798
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.3108
1310.8
3,000
¥1.11418
3342.54
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1006-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
730 mA
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
1.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
690 mW
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
产品
MOSFET Small Signal
系列
DMN37
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
40 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,DMN3730UFB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥143.1484
250:¥131.3173
500:¥125.0232
参考库存:41309
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥183.1843
250:¥168.1214
500:¥159.9854
参考库存:41312
晶体管
JFET JFET
100:¥617.2512
参考库存:41315
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥149.612
250:¥137.3176
500:¥130.7071
参考库存:41318
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥400.0313
参考库存:41321
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