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晶体管
FDD5N50FTM-WS参考图片

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FDD5N50FTM-WS

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库存:2,661(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.119
71.19
100
¥5.4692
546.92
500
¥4.8364
2418.2
2,500
¥3.3787
8446.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
3.5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.55 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50F
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FDD5N50FTM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD5N50FTM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥131.8597
250:¥120.2546
500:¥112.4915
参考库存:38357
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥378.3579
250:¥357.2269
参考库存:38360
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥1.8871
5,000:¥1.7176
10,000:¥1.5707
25,000:¥1.5368
参考库存:38363
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥189.6366
250:¥174.0426
500:¥165.6693
参考库存:38366
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.5312
5,000:¥2.3165
10,000:¥2.1131
25,000:¥2.0792
参考库存:38369
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