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晶体管
MJB45H11G参考图片

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MJB45H11G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 80V 50W PNP
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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
40 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJB45H11
高度
4.83 mm (Max)
长度
10.29 mm (Max)
封装
Tube
宽度
9.65 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.309 g
商品其它信息
优势价格，MJB45H11G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD17522Q5A
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.8873
500:¥5.198
2,500:¥3.6386
10,000:查看
参考库存:5518
RW1E025RPT2CR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
8,000:¥0.52997
24,000:查看
参考库存:21911
SST3904T116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 20MA
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:71092
BUV48A
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Power
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:4291
BSS84LT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 50V 130mA P-Channel
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:207858
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