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晶体管
IPD090N03LGATMA1参考图片

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IPD090N03LGATMA1

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库存:6,300(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9663
39.663
100
¥2.5538
255.38
1,000
¥2.0566
2056.6
2,500
¥1.7289
4322.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
53 S
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
G IPD090N03L IPD9N3LGXT SP000680636
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD090N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
1:¥27.9675
10:¥23.2102
100:¥19.1309
250:¥18.5207
500:¥16.5997
参考库存:6369
晶体管
达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
参考库存:4720
晶体管
MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W
1:¥6.9156
10:¥5.8534
100:¥4.4974
500:¥3.9776
3,000:¥2.7798
9,000:查看
参考库存:8777
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
3,000:¥1.3673
参考库存:10542
晶体管
MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5
1:¥1.2317
10:¥1.1865
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.20792
参考库存:120089
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