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晶体管
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FDP047N10

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数量单价合计
1
¥28.5099
28.5099
10
¥24.2046
242.046
100
¥21.0519
2105.19
250
¥19.9784
4994.6
500
¥17.8992
8949.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
164 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP047N10
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
244 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
386 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
344 ns
典型接通延迟时间
174 ns
单位重量
2.421 g
商品其它信息
优势价格,FDP047N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 5PIN
1:¥3.0736
10:¥2.3165
100:¥1.2656
1,000:¥0.94468
3,000:¥0.81473
参考库存:3342
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.616
10:¥2.7685
100:¥1.5029
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
9,000:¥0.90626
参考库存:19884
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.5368
10:¥1.2543
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
20,000:¥0.17628
40,000:查看
参考库存:6847
晶体管
MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET
1:¥2.9154
10:¥2.2713
100:¥1.2317
1,000:¥0.92999
3,000:¥0.85315
参考库存:13284
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -20V -6.2A 600mW 105MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:2318
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