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晶体管
IGB15N60TATMA1参考图片

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IGB15N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
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数量单价合计
1
¥15.9782
15.9782
10
¥13.6052
136.052
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.5259
4762.95
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
26 A
Pd-功率耗散
130 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB15N60T IGB15N6TXT SP000054921
单位重量
1.430 g
商品其它信息
优势价格,IGB15N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
参考库存:21420
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 25V
1:¥1.2317
10:¥1.08367
100:¥0.3842
1,000:¥0.25312
3,000:¥0.20001
参考库存:35223
晶体管
MOSFET P-Chan -30V -300mA
1:¥3.4578
10:¥2.4182
100:¥1.10627
1,000:¥0.85315
10,000:¥0.66105
20,000:查看
参考库存:17729
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:13674
晶体管
MOSFET MOSFET N-CH 30V 40A
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9721
500:¥6.1698
1,000:¥4.8703
1,500:¥4.8703
参考库存:5979
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