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晶体管
IPB180N04S4-01参考图片

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IPB180N04S4-01

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥19.436
19.436
10
¥16.5206
165.206
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
135 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB180N04S401ATMA1 IPB18N4S41XT SP000705694
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,IPB180N04S4-01的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V
2,500:¥5.5031
5,000:¥5.2997
10,000:¥5.0963
参考库存:29449
晶体管
MOSFET N-CH CLMP 12A FULL PROTCT SAFeFET
1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
参考库存:29452
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥11.4469
10:¥9.4468
100:¥7.2659
500:¥6.2602
3,000:¥4.6104
6,000:查看
参考库存:29455
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Amp/Switch 40Vceo 50Vcbo
500:¥33.8887
1,000:¥31.9677
2,000:¥30.8151
参考库存:29458
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥1,465.8021
参考库存:29461
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